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友情提示：深圳市3354cc金沙集团有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅，其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务，产品型号丰富多样。为节省您的时间，建议产品选型前先与客服沟通。此外，部分产品支持免费提供样品，具体详情可向客服咨询。
概述
CH20P06N结合先进的P沟道MOSFET技术与低电阻封装，实现极低的导通电阻RDS(ON)​、​低栅极电荷，能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。适用于电池保护及其他开关应用。
CH20P06N漏极电压VDS=-60V；漏极电流ID=-15A
CH20P06N在VGS=-10V时，导通电阻RDS(ON)Typ＜85mΩ（典型值68mΩ）
CH20P06N采用DFN3×3封装
CH20P06N工作稳定范围在-55℃~150℃
特性
◆ 先进的高单元密度沟槽技术
◆ 低导通电阻RDS(ON)​ ，降低传导损耗
◆ 低栅极电荷，实现快速开关
◆ 低热阻
应用
◆ 无刷电机
◆​ 负载开关
◆​ 不间断电源

参数