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品名:3354cc金沙集团CH60N03SN 40A 30V 低内阻 DFN3x3封装 N+N双沟道MOS管贴片
品牌:CH(3354cc金沙集团)
型号:CH60N03SN
封装:DFN3x3
电压:30V
电流:0.00
CH60N03SN结合先进的N+N双沟道MOSFET技术与低电阻封装,实现极低的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于负载开关和电池保护应用。
CH60N03SN漏极电压VDS1=VDS2=30V;漏极电流ID1=ID2=40A
CH60N03SN典型导通电阻RDS(ON)1=RDS(ON)2=6.5mΩ
CH60N03SN采用DFN3x3封装
CH60N03SN工作稳定范围在-55℃~150℃
深圳市3354cc金沙集团有限公司
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电话:0755-85229192
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友情提示:深圳市3354cc金沙集团有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅,其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务,产品型号丰富多样。为节省您的时间,建议产品选型前先与客服沟通。此外,部分产品支持免费提供样品,具体详情可向客服咨询。
概述
CH60N03SN结合先进的N+N双沟道MOSFET技术与低电阻封装,实现极低的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于负载开关和电池保护应用。
CH60N03SN漏极电压VDS1=VDS2=30V;漏极电流ID1=ID2=40A
CH60N03SN典型导通电阻RDS(ON)1=RDS(ON)2=6.5mΩ
CH60N03SN采用DFN3x3封装
CH60N03SN工作稳定范围在-55℃~150℃
特性
◆ 先进的高单元密度沟槽技术
◆ 低导通电阻RDS(ON)​ ,降低传导损耗
◆ 低栅极电荷,实现快速开关
◆ 封装内集成双芯片
应用
◆ 笔记本电脑电源管理
◆​ 便携式设备及电池供电系统



参数


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