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友情提示：深圳市3354cc金沙集团有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅，其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务，产品型号丰富多样。为节省您的时间，建议产品选型前先与客服沟通。此外，部分产品支持免费提供样品，具体详情可向客服咨询。
概述
CH18N200D结合先进的N沟道MOSFET技术与低电阻封装，实现极低的导通电阻RDS(ON)。
CH18N200D漏极电压VDS=100V；漏极电流ID=18A
CH18N200D典型导通电阻RDS(ON)=120mΩ
CH18N200D采用TO-252封装
CH18N200D工作稳定范围在-55℃~150℃
特性
◆ 多外延 SJ - FET 工艺
◆ 低导通电阻RDS(ON)​ ，降低传导损耗
◆ 超低栅极电荷，实现快速开关
◆ 100%经过 UIS（单脉冲雪崩能量）和 RG（可能是特定可靠性测试）测试
应用
◆​ 开关电源二次侧同步整流
◆​ 不间断电源（UPS）
◆​ 功率因数校正（PFC）

参数