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友情提示：深圳市3354cc金沙集团有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅，其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务，产品型号丰富多样。为节省您的时间，建议产品选型前先与客服沟通。此外，部分产品支持免费提供样品，具体详情可向客服咨询。
概述
CH20N06SN结合先进的N+N双沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，实现极低的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于负载开关和电池保护应用。
CH20N06SN漏极电压VDS1=VDS2=60V；漏极电流ID1=ID2=20A
CH20N06SN两个通道导通电阻典型值RDS(ON)1=RDS(ON)2=26mΩ
CH20N06SN采用DFN3×3封装
CH20N06SN工作稳定范围在-55℃~150℃
特性
◆ 先进的高单元密度沟槽技术
◆ 低导通电阻RDS(ON)​ ，降低传导损耗
◆ 低栅极电荷，实现快速开关
◆ 封装内集成双芯片
应用
◆ 笔记本电脑电源管理
◆​ 便携式设备及电池供电系统

参数